SOLUTION / PATTERNING

펨토초 레이저를 이용하여 미세 패턴, 정밀 표면 구조 및 다양한 형상의 Micro Structure를 구현합니다.

소재와 패턴 형상에 따라 레이저 조건과 가공 경로를 최적화하여 정밀 Patterning 공정을 개발합니다.

Material
12-inch Silicon Wafer / Various Substrates
Thickness
Two-Point Alignment / Angular Resolution 0.001° / Area 500 × 500 mm / Position Accuracy ±2 µm
Target
Two-Point Auto Alignment Patterning

상세 설명

시료를 장비에서 분리했다가 다시 로딩하면 최초 가공 좌표와 실제 시료 위치 사이에 X·Y 이동 오차와 회전 오차가 발생합니다. 이러한 오차는 다단계 공정, 추가 가공, 재작업 및 기존 패턴 내부의 정밀 가공에서 최종 품질을 좌우하는 핵심 요소입니다.

본 사례에서는 앞서 얼라인먼트 마크를 제작한 12인치 실리콘 웨이퍼를 장비에 다시 로딩한 후, 두 개 이상의 기준점을 자동으로 인식해 시료의 위치와 회전각을 계산했습니다. 선택한 두 기준점은 반드시 수평 또는 수직으로 배치될 필요가 없으며, 서로 다른 위치의 두 점만 확보되면 시료 좌표계와 장비 좌표계의 오차를 계산할 수 있습니다.

계산된 X·Y 이동량과 회전각을 가공 좌표에 자동 반영하고, 0.001° 단위로 시료의 각도 오차를 보정했습니다. 이후 기존 얼라인먼트 마크를 기준으로 웨이퍼 내부의 지정된 좌표에 직선 패턴을 가공하여 재로딩 후에도 기존 패턴과 연계된 정밀 가공이 가능함을 확인했습니다.

인식 가능한 기준점이 두 개 이상 있다면 실리콘 웨이퍼뿐 아니라 글라스, 세라믹, PCB, 금속 및 복합소재 기판에도 적용할 수 있습니다. 최대 500 × 500 mm의 가공 영역에서 보정된 좌표계 기준 목표 위치 정밀도 ±2 µm 이내의 정밀 가공을 지원합니다.

이를 통해 다단계 공정 간 좌표 연계, 재로딩 후 추가 가공, 불량 부위 선택 가공 및 기존 미세 구조 내부의 후속 패터닝과 같은 고정밀 공정을 수행할 수 있습니다.

주요 응용 분야

  • 반도체 웨이퍼 다단계 공정 정렬
  • 재로딩 후 추가 가공 및 정밀 재작업
  • 웨이퍼·패널의 선택적 Repair 및 Trimming
  • 디스플레이·글라스 기판의 대면적 정밀 패터닝
  • PCB·MLB·HDI 기판의 기준점 기반 가공
  • 웨이퍼 본딩 및 첨단 패키징 좌표 정합
  • 광학·세라믹 기판의 후속 미세가공
  • 기존 패턴 내부의 정밀 드릴링·컷팅·마킹
  • 대형 시료의 Fiducial Mark 기반 자동 정렬

RESULT IMAGES

FEATURES / SPECIFICATIONS

  • Alignment Method: Two-Point Auto Alignment
  • Reference Points: 2개 이상
  • Reference Direction: 수평·수직 방향 제약 없음
  • Compensation: X·Y Offset and Rotation
  • Angular Correction Resolution: 0.001°
  • Maximum Working Area: 500 × 500 mm
  • Target Position Accuracy: Within ±2 µm
  • 재로딩 시료의 좌표계 자동 복원
  • 비전 기반 얼라인먼트 마크 자동 인식
  • 기존 패턴과 연계된 후속 정밀 가공
  • 다양한 기판 재질과 형상에 맞춘 기준점 설정

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